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紅外顯微熱像儀在功率器件封裝檢測工藝的應用

時間:2017-08-02 17:45 來源:歐萬電子
紅外顯微熱像儀PI450在功率器件封裝檢測工藝的應用
------功率器件散熱問題的解決方案
隨著世界各國對節能減排的需求越來越迫切,如何降低電子電器產品的高能耗成為眼下的熱點話題之一。而要想實現家用電器等電子電器產品的節能降耗,功率半導體是不可或缺的元器件產品,如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)和FRD(快恢復二極管)等均屬于該領域的重要產品。作為半導體產業中僅次于大規模集成電路的另一大分支,功率半導體在降低電路損耗和提高電源使用效率中,在信息技術與先進制造之間發揮著重要的橋梁作用。
功率半導體器件正從傳統的工業控制和4C領域向新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多產業邁進。當前行業內主流公司在產品開發上越來越多體現出小型化、高可靠的特點,此外采用先進封裝技術和新型SiC、GaN材料也是主要關注對象。
產品開發關注可靠性與散熱性
家電中應用的功率半導體,器件小型化、更高可靠性和良好散熱性將是非常重要的特性。
“如何在保證溫升?。ü男。┑幕∩?,實現更高的能源轉換效率是功率半導體技術開發的主題。”而功率半導體在家電中應用,小型化將是一個非常重要的特性。為此,很多功率半導體企業近年來在產品的小型化上,都下足了功夫。以改善關斷損耗對飽和壓降的折中比例,提高功率半導體的性能,減少電力損耗,達到節能效果。
1,降低熱阻
(1)熱阻Rth定義:器件工作時產生的熱量向外界散發的能力,℃/ W。即當器件消耗掉1W功率時其自身溫度升高的度數。
熱阻大小是代表功率器件品質優劣的一個重要參數。
(2)降低器件發熱量的三個基本途徑:
A, 優化電路設計,避免器件工作時進入放大區域,減少功率損耗;
B, 提高器件散熱能力,避免器件發熱失效;
C, 提高器件電流性能,降低相關飽和壓降。
在電路設計和芯片工藝都已經定型的條件下,提高器件散熱能力是避免器件發熱失效的唯一手段,重要途徑就是盡量降低器件的熱阻。
紅外顯微熱像儀PI450在功率器件封裝檢測工藝上的應用----
功率器件散熱問題的解決方案
測溫范圍: -20℃ ~ 900℃, 熱靈敏度: 0.04K / 0.08K
高分辨率: 382 x 288 像素, 最快幀頻: 120Hz
顯微尺寸: 25μm(熱場分布), 100μm(熱場溫度)
光學鏡頭: 標準鏡頭、望遠鏡頭、廣角鏡頭可選
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